DISCO DURO SAMSUNG MZ-VAP8T0BW 8 TB SSD
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Especificaciones
Tipo de Memoria·V-NAND TLCColor·NegroCompatible·SSD NVMeSeguridad·AES 256-bitsRango de temperaturas de trabajo·0º / 70ºVoltaje·3,3 VConexiones·M.2Tipo de almacenamiento·SSDDisco Duro·8 TB SSDSDD, capacidad·8 TBFactor de forma de disco SSD·M.2Interfaz·PCI Express 5.0NVMe·SiComponente para·PC/ordenador portátilEncriptación de hardware·SiAlgoritmos de seguridad soportados·256-bit AESVelocidad de lectura·14800 MB/sVelocidad de escritura·13400 MB/sLectura aleatoria (4KB)·2200000 IOPSEscritura aleatoria (4KB)·2600000 IOPSCarriles datos de interfaz PCI Express·x4Función DevSleep·SiSoporte S.M.A.R.T.·SiSoporte TRIM·SiTiempo medio entre fallos·1500000 hVoltaje de operación·3,3 VAncho·80,2 mmProfundidad·3,88 mmAltura·22,1 mmTipo de embalaje·CajaIntervalo de temperatura operativa·0 - 70 °CGolpes en funcionamiento·1500 GPeriodo de garantía·5 año(s)
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Información técnica ▾
Código EAN:8806095811680
Condición:new
Peso:0.000 kg
Dimensiones:10 × 15 × 3 cm
Ref. Proveedor:#1240704
Actualizado:30/6/2026
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Si eres un apasionado de la informática y la electrónica, te gusta estar a la última en tecnología y no perderte detalle, compra Disco Duro Samsung MZ-VAP8T0BW 8 TB SSD al mejor precio.
- Tipo de Memoria: V-NAND TLC
- Color: Negro
- Compatible:
- SSD NVMe
- PC/Notebook
- Seguridad: AES 256-bits
- Rango de temperaturas de trabajo: 0º / 70º
- Voltaje: 3,3 V
- Conexiones:
- M.2
- PCI Express 4.0
- PCI Express 5.0
- Tipo de almacenamiento: SSD
- Disco Duro: 8 TB SSD
Samsung MZ-VAP8T0. SDD, capacidad: 8 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14800 MB/s, Velocidad de escritura: 13400 MB/s, Componente para: PC/ordenador portátil
- SDD, capacidad: 8 TB
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- Interfaz: PCI Express 5.0
- NVMe: Si
- Tipo de memoria: V-NAND TLC
- Componente para: PC/ordenador portátil
- Encriptación de hardware: Si
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- Velocidad de lectura: 14800 MB/s
- Velocidad de escritura: 13400 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB): 2200000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS
- Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
- Función DevSleep: Si
- Soporte S.M.A.R.T.: Si
- Soporte TRIM: Si
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
- Voltaje de operación: 3,3 V
- Ancho: 80,2 mm
- Profundidad: 3,88 mm
- Altura: 22,1 mm
- Tipo de embalaje: Caja
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento: 1500 G
- Periodo de garantía: 5 año(s)
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